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Summary of Tables 1A - 1H: HTRB
Table 1A
MOSFET/IGBT
discrete device *)
Table 1B
MOSFET/IGBT
Module
Table 1C
Thyr./Diode
Module
Table 1D
Controller/
Rec. Bridge*)
Table 1E
FRED
*)
Table 1F
Schottky
Diode*)
Table 1G
Thyr./Diode
discrete device*)
Table 1H
ISOPLUS
Failure Rate [FIT] 125°C, 60% UCL
Failure Rate [FIT] 90°C, 60% UCL
Total Lots Tested
Total Devices Tested
Total Actual
Failures 60% UCL {eq. (2)}
592
35
169
4932
2
3
12483
747
13
116
0
0.92
45956
2752
15
160
1
2
17190
1029
17
170
0
0.92
1939
116
35
645
0
0.92
845
51
24
570
0
0.92
16855
1009
12
210
1
2
-
-
20
456
1
-
Total Equivalent Device Hours
@ 125°C {AF eq. (1)}
MTTF 125°C 60% UCL
(Years) 90°C 60% UCL
5066720
193
3220
73702
9
153
43520
2
41
53520
7
111
474548
59
983
1089301
135
2257
118658
7
113
465622
-
-
Summary of Table 2A - 2C: HTGB
Table 2A
MOSFET/IGBT
discrete device *)
Table 2B
MOSFET/IGBT
Module
Table 2C
ISOPLUS
Failure Rate [FIT] 125°C, 60% UCL
Failure Rate [FIT] 90°C, 60% UCL
Total Lots Tested
Total Devices Tested
Total Actual
Failures 60% UCL {eq. (2)}
231
75
138
4030
0
0.92
4606
1486
15
210
0
0.92
-
-
15
460
0
-
Total Equivalent Device Hours
@ 125°C {AF eq. (1)}
MTTF 125°C 60% UCL
(Years) 90°C 60% UCL
3976960
493
1530
199740
25
77
506800
-
-
*) including ISOPLUS
IXYS Semiconductor GmbH
3
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IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube